37. 奇码数字信息有限公司笔试题
《你也能拿高薪: 名企面试自助手册》作者：苏贵阳 2017-01-29 12:09
1．画出NMOS的特性曲线（指明饱和区，截至区，线性区，击穿区和C-V曲线）
2．2.2um工艺下，Kn＝3Kp，设计一个反相器，说出器件尺寸。
3．说出制作N-well的工艺流程。
4．雪崩击穿和齐纳击穿的机理和区别。
5．用CMOS画一个D触发器（clk，d，q，q-）。
2．2.2um工艺下，Kn＝3Kp，设计一个反相器，说出器件尺寸。
3．说出制作N-well的工艺流程。
4．雪崩击穿和齐纳击穿的机理和区别。
5．用CMOS画一个D触发器（clk，d，q，q-）。